山東烈火激光測試技術(shù)
激光三角測量術(shù)
微凸點晶圓的出現(xiàn)使測量和檢測技術(shù)面臨著巨大的挑戰(zhàn)，對該技術(shù)的最基本要求是任一可行的檢測技術(shù)必須能達到測量微凸點特征尺寸所需的分辨率和靈敏度。在50m節(jié)距上制作25m凸點的芯片技術(shù)，目前正在開發(fā)中，更小凸點直徑和更節(jié)距的技術(shù)也在發(fā)展中。另外，當(dāng)單個芯片上凸點數(shù)量超過10000個時，晶圓檢測系統(tǒng)必須有能力來處理凸點數(shù)迅速增加的芯片和晶圓。分析軟件和計算機硬件必須擁有足夠高的性能來存儲和處理每個晶圓上所存在的數(shù)百萬個凸點的位置和形貌數(shù)據(jù)。
在激光三角檢測術(shù)中，用一精細聚焦的激光束來掃描圓片表面，光學(xué)系統(tǒng)將反射的激光聚焦到探測器。采用3D激光三角檢測術(shù)來檢測微凸點的形貌時，在精度、速度和可檢測性等方面，它具有明顯的優(yōu)勢。
顆粒測試
顆料控制是晶片加工過程、器件制造過程中重要的一個環(huán)節(jié)，而顆粒的監(jiān)測也就顯得至關(guān)重要。顆粒測試設(shè)備的工作原理有兩種，一種為光散射法；另一種為消光法。
對于懸浮于氣體中的顆粒，通常采用光散射法進行測試，同時某些廠家利用這種工作原理生產(chǎn)了測試晶片表面顆粒的設(shè)備；而對于液體中的顆粒，這兩種方法均適用。
激光脈沖退火(LSA)技術(shù)
該技術(shù)通過一長波激光器產(chǎn)生的微細激光束掃描硅片表面，在一微秒甚至更短的作用時問內(nèi)產(chǎn)生～個小尺寸的局域熱點。由于只有上表面的薄層被加熱，硅片的整體依然保持低溫，使得此表面層的降溫速率幾乎和它的升溫速率一樣快。從固體可溶性的角度考慮，高峰值溫度能夠激活更多的摻雜原子，此外正如65nm及以下工藝所求的那樣，較短的作用時間可以使摻雜原子的擴散降到最低。退火處理的作用范圍可以限制在硅片上的特定區(qū)域而不會影響到周圍部位。
該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于多晶硅柵極的退火，在減少多晶硅的耗盡效應(yīng)方面取得了顯著的效果。K.Adachi等將閃光燈退火和激光脈沖退火處理的MOS管的Ion/Ioff進行了比較，在pMOS-FET和nMOSFET中，采用激光脈沖退火處理的器件的漏極電流要大10%，器件性能的增強可以直接歸因于柵電極耗盡效應(yīng)的改善和寄生電阻的減小 | 
